Paměti jsou "obojetné" 1,35 / 1,5V (=VDDQ), fungují bezchybně i ve starších noteboocích (1,5V) vyrobeny kolem 39 týdne / 2023 jsou nové, v originálním obalu

.............................

Vlastnosti modulu pracovní paměti:

Název modulu DDR3 NB 8GB 1600 Sériové číslo xxxxxxxxxxxxxxx Datum výroby Týden 39 / 2023 Velikost modulu 8 GB (2 ranks, 8 banks) Typ modulu SO-DIMM Typ paměti DDR3 SDRAM Rychlost paměti DDR3-1600 (800 MHz) Šířka modulu 64 bit Napájení modulu 1.35 V / 1.5 V Metoda korekce chyb Žádný Obnovovací frekvence Normální (7.8 us) Výrobce DRAM Samsung Časování pamětí: @ 800 MHz 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-208-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 761 MHz 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-199-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 685 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-179-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 609 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-159-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 533 MHz 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-139-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 457 MHz 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-119-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 380 MHz 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-100-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) Možnosti paměťových modulů: Auto Self Refresh (ASR) Nepodporováno DLL-Off Mode Podporováno Extended Temperature Range Podporováno Extended Temperature 1X Refresh Rate Nepodporováno Module Thermal Sensor Nepodporováno On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Nepodporováno Partial Array Self Refresh (PASR) Nepodporováno RZQ/6 Podporováno RZQ/7 Podporováno

Přidáno: 14.01.2024 12:51:31

Paměti jsou nové, nepoužité, zapečetěny v originálním obalu

Přidáno: 27.02.2024 09:26:25

Paměti jsou nové, nepoužité, zapečetěny v originálním obalu.

Přidáno: 03.03.2024 14:58:06

Šarže od 2/2024 může být osazena modernějšími čipy SK Hynix H5TC4G43BFR-PBA opět s plnou zpětnou kompatibilitou 1,5V : https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/1179035/HYNIX/H5TC4G43BFR-PBA.html

8GB DDR3L-1600 SODIMM * NOVÁ * memtest OK čipy SAMSUNG K4B2G0846D-HYKO https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/411718/SAMSUNG/K4B2G0846D.html Paměti jsou "obojetné" 1,35 / 1,5V (=VDDQ), fungují bezchybně i ve starších noteboocích (1,5V) vyrobeny kolem 39 týdne / 2023 jsou nové, v originálním obalu ............................. Vlastnosti modulu pracovní paměti: Název modulu DDR3 NB 8GB 1600 Sériové číslo xxxxxxxxxxxxxxx Datum výroby Týden 39 / 2023 Velikost modulu 8 GB (2 ranks, 8 banks) Typ modulu SO-DIMM Typ paměti DDR3 SDRAM Rychlost paměti DDR3-1600 (800 MHz) Šířka modulu 64 bit Napájení modulu 1.35 V / 1.5 V Metoda korekce chyb Žádný Obnovovací frekvence Normální (7.8 us) Výrobce DRAM Samsung Časování pamětí: @ 800 MHz 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-208-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 761 MHz 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-199-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 685 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-179-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 609 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-159-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 533 MHz 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-139-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 457 MHz 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-119-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 380 MHz 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-100-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) Možnosti paměťových modulů: Auto Self Refresh (ASR) Nepodporováno DLL-Off Mode Podporováno Extended Temperature Range Podporováno Extended Temperature 1X Refresh Rate Nepodporováno Module Thermal Sensor Nepodporováno On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Nepodporováno Partial Array Self Refresh (PASR) Nepodporováno RZQ/6 Podporováno RZQ/7 Podporováno Přidáno: 14.01.2024 12:51:31 Paměti jsou nové, nepoužité, zapečetěny v originálním obalu Přidáno: 27.02.2024 09:26:25 Paměti jsou nové, nepoužité, zapečetěny v originálním obalu. Přidáno: 03.03.2024 14:58:06 Šarže od 2/2024 může být osazena modernějšími čipy SK Hynix H5TC4G43BFR-PBA opět s plnou zpětnou kompatibilitou 1,5V : https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/1179035/HYNIX/H5TC4G43BFR-PBA.html

Nabídka č. 7052172244 Vystaveno 10.04. 08:04 Zobrazení: 75